MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -20 V, ID -6.7 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 257-9309
- Nº ref. fabric.:
- IRF7404TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*
1.340,00 €
(exc. IVA)
1.620,00 €
(inc.IVA)
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,335 € | 1.340,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9309
- Nº ref. fabric.:
- IRF7404TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -6.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33.3nC | |
| Tensión directa Vf | -1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -6.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33.3nC | ||
Tensión directa Vf -1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es la familia de mosfet de potencia IRFET resistente optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Capacidad de soldadura por ola