MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 644 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
216-9647
Nº ref. fabric.:
TSM025NB04CR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

644A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PDFN56

Serie

TSM025

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

77nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Anchura

3.81 mm

Altura

1.1mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG

Enlaces relacionados

Recently viewed