MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 30 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

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Código RS:
216-9705
Nº ref. fabric.:
TSM250NB06DCR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

25mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.1mm

Anchura

5.1 mm

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

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