MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 100 V, ID 46 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

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Código RS:
216-9697
Nº ref. fabric.:
TSM160N10LCR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC

Anchura

5.2 mm

Altura

1.1mm

Longitud

6.2mm

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

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