MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM160N10LCR, VDSS 100 V, ID 46 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
No sabemos si este producto volverá a estar disponible, ya que el fabricante lo está descatalogando.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
216-9698
Nº ref. fabric.:
TSM160N10LCR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TSM025

Encapsulado

PDFN56

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.2mm

Anchura

5.2 mm

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG

Enlaces relacionados