MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 161 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

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Código RS:
216-9649
Nº ref. fabric.:
TSM025NB04LCR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

161A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PDFN56

Serie

TSM025

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

135W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

112nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Longitud

6mm

Altura

1.1mm

Anchura

3.81 mm

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

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