MOSFET, N-Canal Taiwan Semiconductor TSM025NB04LCR, VDSS 40 V, ID 161 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9650
- Nº ref. fabric.:
- TSM025NB04LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 216-9650
- Nº ref. fabric.:
- TSM025NB04LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 161A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 112nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 135W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Anchura | 3.81mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 161A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 112nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 135W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Anchura 3.81mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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