MOSFET, N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 41 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

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Código RS:
216-9695
Nº ref. fabric.:
TSM150NB04LCR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

56W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.2mm

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC, WEEE

Altura

1.1mm

Longitud

6.2mm

Estándar de automoción

No

no fundiciones


Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

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