MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 44 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

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Código RS:
216-9699
Nº ref. fabric.:
TSM170N06PQ56
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TSM025

Encapsulado

PDFN56

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

73.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC, RoHS, WEEE

Altura

1.1mm

Longitud

6.1mm

Anchura

5.1 mm

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

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