MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM170N06PQ56, VDSS 60 V, ID 44 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9700
- Nº ref. fabric.:
- TSM170N06PQ56
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- Código RS:
- 216-9700
- Nº ref. fabric.:
- TSM170N06PQ56
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 73.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC, RoHS, WEEE | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 73.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Certificaciones y estándares IEC, RoHS, WEEE | ||
Longitud 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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