MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM150NB04CR, VDSS 40 V, ID 41 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
216-9692
Nº ref. fabric.:
TSM150NB04CR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

56W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Longitud

6.2mm

Certificaciones y estándares

WEEE, RoHS, IEC

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

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