MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 41 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9691
- Nº ref. fabric.:
- TSM150NB04CR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1.047,50 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,419 € | 1.047,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 216-9691
- Nº ref. fabric.:
- TSM150NB04CR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 41A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | WEEE, RoHS, IEC | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 41A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares WEEE, RoHS, IEC | ||
Longitud 6.2mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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