MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 48 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

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Código RS:
216-9682
Nº ref. fabric.:
TSM110NB04DCR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

48A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.2 mm

Longitud

6.2mm

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

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