MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR, VDSS 40 V, ID 48 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9683
- Nº ref. fabric.:
- TSM110NB04DCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
48,375 €
(exc. IVA)
58,525 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 4950 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,935 € | 48,38 € |
| 50 - 75 | 1,898 € | 47,45 € |
| 100 - 225 | 1,742 € | 43,55 € |
| 250 - 975 | 1,709 € | 42,73 € |
| 1000 + | 1,585 € | 39,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 216-9683
- Nº ref. fabric.:
- TSM110NB04DCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 48A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TSM025 | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.2 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 48A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TSM025 | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.2 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PDFN56 de 8 pines