MOSFET Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR, VDSS 40 V, ID 48 A, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9683
- Nº ref. fabric.:
- TSM110NB04DCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
5000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
1,365 €
(exc. IVA)
1,652 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 25 - 25 | 1,365 € | 34,125 € |
| 50 - 75 | 1,339 € | 33,475 € |
| 100 - 225 | 1,229 € | 30,725 € |
| 250 - 975 | 1,206 € | 30,15 € |
| 1000 + | 1,118 € | 27,95 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 216-9683
- Nº ref. fabric.:
- TSM110NB04DCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 48 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Serie | TSM025 |
| Tipo de Encapsulado | PDFN56 |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 11 m.Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Material del transistor | Silicio |
- Código RS:
- 216-9683
- Nº ref. fabric.:
- TSM110NB04DCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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