MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM036N03PQ56, VDSS 30 V, ID 124 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9657
- Nº ref. fabric.:
- TSM036N03PQ56
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
34,05 €
(exc. IVA)
41,20 €
(inc.IVA)
Añade 75 unidades para conseguir entrega gratuita
Está siendo descatalogado
- Últimas 4975 unidad(es) disponibles desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,362 € | 34,05 € |
| 50 - 75 | 1,335 € | 33,38 € |
| 100 - 225 | 1,226 € | 30,65 € |
| 250 - 975 | 1,202 € | 30,05 € |
| 1000 + | 1,113 € | 27,83 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 216-9657
- Nº ref. fabric.:
- TSM036N03PQ56
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 124A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TSM025 | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Anchura | 3.78 mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 124A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TSM025 | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 6mm | ||
Anchura 3.78 mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PDFN56 de 8 pines