MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM650N15CR, VDSS 150 V, ID 24 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

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Código RS:
216-9716
Nº ref. fabric.:
TSM650N15CR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

96W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC

Altura

1.1mm

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

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