MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 14 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2535
- Nº ref. fabric.:
- IPD95R450P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2.445,00 €
(exc. IVA)
2.957,50 €
(inc.IVA)
Añade 2500 unidades para conseguir entrega gratuita
Agotado temporalmente
- Envío desde el 20 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,978 € | 2.445,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2535
- Nº ref. fabric.:
- IPD95R450P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.41mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.41mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La última serie Infineon 950V CoolMOS™ P7 Marca un nuevo banco en tecnologías de súper unión 950V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.
El mejor FOM RDS(on) Eoss de su clase; QG, CISS y CossBest-in-class DPAK RDS(on) de 450 mΩ
El mejor VGS(th) de su clase de 3V y la variación de VGS(th) más pequeña de ±0,5 V.
Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-252 de 3 pines