MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 14 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2535
- Nº ref. fabric.:
- IPD95R450P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2.445,00 €
(exc. IVA)
2.957,50 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,978 € | 2.445,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2535
- Nº ref. fabric.:
- IPD95R450P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La última serie Infineon 950V CoolMOS™ P7 Marca un nuevo banco en tecnologías de súper unión 950V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.
El mejor FOM RDS(on) Eoss de su clase; QG, CISS y CossBest-in-class DPAK RDS(on) de 450 mΩ
El mejor VGS(th) de su clase de 3V y la variación de VGS(th) más pequeña de ±0,5 V.
Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-252 de 3 pines