MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 219-5994
- Nº ref. fabric.:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 219-5994
- Nº ref. fabric.:
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 37W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 37W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET CoolMOS serie P7 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 950 V, corriente de drenaje continua de 4 A - IPD95R2K0P7ATMA1
Este MOSFET es un transistor de mejora de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango ambiente y está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere un dispositivo de conmutación compacto y térmicamente capaz.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 950 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 2 mΩ minimiza las pérdidas de conducción durante el funcionamiento de alta corriente
• La carga de puerta de 10 nC reduce la energía de accionamiento y las pérdidas relacionadas con la conmutación
• La corriente de drenaje continua de 4 A admite corrientes de carga moderadas de manera fiable
• La disipación de potencia máxima de 37 W permite un amplio espacio térmico
• La capacidad de fuente de puerta de 20 V admite tensiones de accionamiento de puerta comunes
• La Rds(on) de 2 mΩ minimiza las pérdidas de conducción durante el funcionamiento de alta corriente
• La carga de puerta de 10 nC reduce la energía de accionamiento y las pérdidas relacionadas con la conmutación
• La corriente de drenaje continua de 4 A admite corrientes de carga moderadas de manera fiable
• La disipación de potencia máxima de 37 W permite un amplio espacio térmico
• La capacidad de fuente de puerta de 20 V admite tensiones de accionamiento de puerta comunes
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para interruptores primarios de fuente de alimentación de modo conmutado
• Se utiliza con frontales de accionamiento de motor industriales
• Puede utilizarse para la conversión de energía en sistemas renovables
• Apto para módulos de alimentación compactos de montaje en superficie
• Ideal para interruptores primarios de fuente de alimentación de modo conmutado
• Se utiliza con frontales de accionamiento de motor industriales
• Puede utilizarse para la conversión de energía en sistemas renovables
• Apto para módulos de alimentación compactos de montaje en superficie
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar en funcionamiento?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de −55 °C a 150 °C, lo que permite su uso en amplios entornos térmicos.
¿Cómo está empaquetado para el montaje en PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-252 adecuado para montaje en placa soldada.
¿Qué características de conducción directa son típicas al conducir?
El dispositivo presenta una tensión directa de 0,9 V durante la conducción en condiciones adecuadas.
¿Cuántas conexiones eléctricas presenta para la integración de circuitos?
Proporciona tres contactos para conexiones de terminal MOSFET estándar.
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