MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD6N95K5, VDSS 950 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
151-924
Nº ref. fabric.:
STD6N95K5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

950V

Serie

MDmesh K5

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.25Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.6nC

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.1mm

Anchura

6.6 mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics está diseñado utilizando la tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical propietaria. El resultado es una reducción dramática de la resistencia y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una alta eficiencia.

RDS(on) x área más baja del sector

El mejor FoM del sector

Carga de puerta ultrabaja

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

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