MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 210 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
217-2597
Nº ref. fabric.:
IRF3805STRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

210A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

190nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon HEXFET® Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de encendido ultrabaja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

Sin cables

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