MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 82 A, Mejora, PQFN de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
217-2612
Nº ref. fabric.:
IRFH8325TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

82A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

3.6W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1.17mm

Longitud

6.02mm

Anchura

4.98 mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 30V MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado PQFN 5mm X 6mm.

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Nivel lógico: Optimizado para tensión de accionamiento de puerta de 5 V.

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Enlaces relacionados