MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 44 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
217-2614
Nº ref. fabric.:
IRFH8334TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

3.2W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.17mm

Longitud

6.02mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

4.98 mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 30V MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado PQFN 5mm X 6mm.

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Optimizado para tensión de controlador de puerta 5V (denominado nivel lógico)

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

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