MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR4104TRPBF, VDSS 40 V, ID 119 A, TO-252
- Código RS:
- 217-2625
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-423
- Nº ref. fabric.:
- IRFR4104TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- 217-2625
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-423
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- IRFR4104TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 119A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.5mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 89nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 119A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.5mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 89nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon HEXFET® Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de conexión ultrabaja 1
Temperatura de funcionamiento de 75 °C.
Conmutación rápida R
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax L.
Sin ead