MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 119 A, TO-252

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Código RS:
217-2623
Nº ref. fabric.:
IRFR4104TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

119A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.5mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

89nC

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

6.22mm

Anchura

2.39 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon HEXFET® Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de conexión ultrabaja 1

Temperatura de funcionamiento de 75 °C.

Conmutación rápida R

Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax L.

Sin ead

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