MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, TO-252

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Código RS:
258-0632
Nº ref. fabric.:
AUIRFR8403TRL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.1mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

99W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

66nC

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción de Infineon, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzada

Nueva resistencia de conexión ultrabaja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax

Sin plomo, conforme con RoHS

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