MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-263

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Código RS:
217-2635
Nº ref. fabric.:
IRL3705NSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

89A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

98nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Anchura

4.83 mm

Altura

17.79mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 55V de MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D2-Pak.

Estructura de celda plana para SOA amplio

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Encapsulado con capacidad de transporte de alta corriente (hasta 195 A, en función del tamaño de la matriz)

Capaz de soldarse por ola

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