MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 131 A, TO-263

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Código RS:
257-9275
Nº ref. fabric.:
IRF1405STRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

131A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.3mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

170nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal n simple de 55 V en un encapsulado D2 Pak.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Capacidad de soldadura por ola

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