MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 131 A, TO-263

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

785,60 €

(exc. IVA)

950,40 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 09 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
800 - 8000,982 €785,60 €
1600 +0,933 €746,40 €

*precio indicativo

Código RS:
257-9275
Nº ref. fabric.:
IRF1405STRLPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

131A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.3mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

170nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal n simple de 55 V en un encapsulado D2 Pak.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Capacidad de soldadura por ola

Enlaces relacionados