MOSFET, N-Canal Infineon IRFZ48NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-263
- Código RS:
- 258-3990
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-547
- Nº ref. fabric.:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3990
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-547
- Nº ref. fabric.:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.014Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 81nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.014Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 81nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia Infineon HEXFET de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación de montaje en superficie capaz de alojar tamaños de matriz de hasta HEX-4. Proporciona la capacidad de potencia más alta y la resistencia de conexión más baja posible en cualquier encapsulado de montaje en superficie existente. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje en superficie típica.
Tecnología de procesos avanzada
Montaje en superficie
Orificio pasante de perfil bajo
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total