MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 51 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4463
- Nº ref. fabric.:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Consigue un descuento por cantidad
Añade 1600 más para ahorrar 54,40 €
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bobina de 800 unidades)*
545,60 €
(exc. IVA)
660,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 04 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* | Ahorro |
|---|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,682 € | 545,60 € | - |
| 1600 - 1600 | 0,648 € | 518,40 € | 54,40 € |
| 2400 + | 0,607 € | 485,60 € | 180,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4463
- Nº ref. fabric.:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.6mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 82W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.6mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 82W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon de potencia IRFET resistente está optimizado para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Es ideal para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia.
Está optimizado para rectificación síncrona