MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 51 A, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
218-3119
Nº ref. fabric.:
IRFS52N15DTRLP
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

51A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

89nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.83 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.65mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de infrarrojos de canal N único Infineon serie IRFS. Este MOSFET se utiliza en convertidores dc-dc de alta frecuencia, panel de display de plasma, etc.

Sin plomo

Reducción significativa de pérdidas de conmutación

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