MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 136 A, N, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 258-3792
- Nº ref. fabric.:
- IPB060N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3792
- Nº ref. fabric.:
- IPB060N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 136A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 136A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 150 V de Infineon son especialmente adecuados para accionamientos de baja tensión como carretillas elevadoras y scooters eléctricos, así como aplicaciones de telecomunicaciones y energía solar. Los nuevos productos ofrecen una reducción innovadora de RDS(on) y Qrr sin comprometer FOM gd y FOM OSS, lo que reduce de manera efectiva el esfuerzo de diseño al tiempo que optimiza la eficiencia del sistema. Además, la carga de recuperación inversa ultrabaja aumenta la robustez de conmutación.
Carga de salida inferior
Carga de recuperación inversa ultrabaja
Paralelización reducida
Diseños de mayor densidad de potencia