MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF23MR12W1M1B11BOMA1, VDSS 1.2 kV, ID 50 A, AG-EASY1B de 2 pines, config. Aislado

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
217-7181
Nº ref. fabric.:
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

AG-EASY1B

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Chasis

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Tensión directa Vf

5.65V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

62.8mm

Altura

16.4mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

33.8 mm

Estándar de automoción

No

El módulo de medio puente Infineon EasyDUAL 1B de 1.200 V / 23 mΩ con MOSFET CoolSiC, sensor de temperatura NTC integrado y tecnología de contacto Pressfit

Alta densidad de corriente

Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase

Diseño inductivo bajo

Módulos compatibles con RoHS

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