MOSFET, N-Canal Infineon BSZ099N06LS5ATMA1, VDSS 60 V, ID 46 A, N, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
218-2986
Nº ref. fabric.:
BSZ099N06LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TSDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.9mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

36W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.9nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Longitud

3.4mm

Anchura

3.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 46 A - BSZ099N06LS5ATMA1


Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para aplicaciones de canal N de alta corriente en conjuntos compactos de montaje en superficie, que funciona en un amplio rango de temperaturas y proporciona un comportamiento de accionamiento de puerta controlado para tareas de conmutación rápida.

Características y ventajas:


• El valor nominal de drenaje de 60 V permite la capacidad de conmutación de tensión media
• La corriente de drenaje continua de 46 A admite el suministro de alta corriente
• La RDS(on) de 9,9 mΩ minimiza las pérdidas por conducción a la corriente nominal
• La disipación máxima de 36 W permite un manejo de potencia significativo
• La carga de puerta típica de 6,9 nC reduce los requisitos de energía de conmutación
• La tolerancia de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos

Aplicaciones


• Apto para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación compactas
• Ideal para etapas de rectificación síncrona de alta corriente
• Se utiliza para elementos de conmutación de medio puente de accionamiento de motor
• Puede utilizarse para la gestión de energía en electrónica industrial
• Adecuado para conjuntos de montaje en superficie que requieren huellas pequeñas

¿Qué encapsulado y tipo de montaje utiliza?


Se suministra en un encapsulado TSDSON diseñado para montaje en superficie.

¿Qué rendimiento térmico se espera en todo el rango de funcionamiento?


Funciona desde −55 °C hasta 150 °C, lo que permite su despliegue en entornos de gran temperatura.

¿Cómo afecta la carga de puerta al rendimiento de conmutación?


La carga de puerta típica de 6,9 nC reduce la energía de accionamiento y admite transiciones más rápidas.

¿Qué tensión de fuente de puerta debe observarse para un funcionamiento seguro?


La tensión de fuente de puerta no debe exceder los 20 V para evitar daños en el dispositivo.

¿Cuál es la configuración del canal del dispositivo?


El dispositivo utiliza un canal de tipo N en modo de mejora para conmutación MOSFET estándar.

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