MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ099N06LS5ATMA1, VDSS 60 V, ID 46 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 218-2986
- Nº ref. fabric.:
- BSZ099N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-2986
- Nº ref. fabric.:
- BSZ099N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 46A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.9mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 36W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 46A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.9mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 36W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon OptiMOS™ de potencia de canal N. Es muy adecuado para aplicaciones de carga inalámbrica, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja (Q g) de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción.
100 % a prueba de avalancha
Resistencia térmica superior
Chapado de cable sin plomo