MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB016N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, P, TSDSON

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

6,00 €

(exc. IVA)

7,26 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 183,00 €6,00 €
20 - 482,55 €5,10 €
50 - 982,40 €4,80 €
100 - 1982,225 €4,45 €
200 +2,075 €4,15 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-7735
Nº ref. fabric.:
IPB016N06L3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

iPB

Encapsulado

TSDSON

Tipo de montaje

Superficie

Modo de canal

P

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia OptiMOS 3 de Infineon es la opción perfecta para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado, como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargadores de tabletas. Además, estos dispositivos se pueden utilizar para una amplia gama de aplicaciones industriales, como control de motor, microinversor solar y convertidor dc-dc de conmutación rápida.

Muy baja resistencia de conexión RDS de conexión

Ideal para aplicaciones de conmutación rápida

Conformidad con RoHS

Eficiencia del sistema más alta

Enlaces relacionados