MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB016N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, P, TSDSON

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-7735
Nº ref. fabric.:
IPB016N06L3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TSDSON

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Modo de canal

P

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia OptiMOS 3 de Infineon es la opción perfecta para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado, como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargadores de tabletas. Además, estos dispositivos se pueden utilizar para una amplia gama de aplicaciones industriales, como control de motor, microinversor solar y convertidor dc-dc de conmutación rápida.

Muy baja resistencia de conexión RDS de conexión

Ideal para aplicaciones de conmutación rápida

Conformidad con RoHS

Eficiencia del sistema más alta

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