MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 39.5 A, P, TSDSON de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

970,00 €

(exc. IVA)

1.175,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 16 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
5000 +0,194 €970,00 €

*precio indicativo

Código RS:
259-1485
Nº ref. fabric.:
BSZ180P03NS3EGATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

39.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSDSON

Serie

BSZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18Ω

Modo de canal

P

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Las familias optimos muy innovadoras de Infineon incluyen MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado activo y las características de mérito.

Modo de mejora

Nivel normal, nivel lógico o nivel super lógico

Valor nominal de avalancha

Chapado de cable sin plomo conforme con RoHS

Enlaces relacionados