MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSZ180P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 39.6 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-8990
Nº ref. fabric.:
BSZ180P03NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

39.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS P3

Encapsulado

TSDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión directa Vf

-1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.49mm

Anchura

6.35 mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

La gama Infineon de MOSFET de potencia de canal P único OptiMOS está diseñada para proporcionar características mejoradas que cumplen rendimiento de calidad. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Las aplicaciones incluyen dc-dc, control de motor, gestión de batería y conmutación de carga.

Tiene una temperatura de funcionamiento de 150 °C.

Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino

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