MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 15 A, Mejora, TSDSON de 3 pines

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Código RS:
258-7097
Nº ref. fabric.:
SPD15P10PGBTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SPD15P10P

Encapsulado

TSDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.24Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.35V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia SIPMOS de Infineon pertenece a los MOSFET de potencia de canal P de la familia OptiMOS muy innovadores. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito.

Modo de mejora

Valor nominal de avalancha

Chapado de cable sin plomo

Conformidad con RoHS

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