MOSFET Infineon BSZ086P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-6878
Nº ref. fabric.:: BSZ086P03NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSZ086P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple

10540 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)

0,325 €

(exc. IVA)

0,393 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
5000 +	0,325 €	1.625,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-6878
Nº ref. fabric.:: BSZ086P03NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	TSDSON
Serie	OptiMOS P
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	13,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.9V
Tensión de umbral de puerta mínima	3.1V
Disipación de Potencia Máxima	69 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Ancho	3.4mm
Longitud	3.4mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	43,2 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.1mm