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    MOSFET Infineon BSZ086P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines, , config. Simple

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    Unidades

    Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

    0,307 €

    (exc. IVA)

    0,371 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Por unidad
    Por Pack*
    20 +0,307 €6,14 €

    *precio indicativo

    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    825-9130
    Nº ref. fabric.:
    BSZ086P03NS3GATMA1
    Fabricante:
    Infineon

    Estado RoHS: No aplica

    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalP
    Corriente Máxima Continua de Drenaje40 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
    Tipo de EncapsuladoTSDSON
    SerieOptiMOS P
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines8
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente13,4 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima1.9V
    Tensión de umbral de puerta mínima3.1V
    Disipación de Potencia Máxima69 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-25 V, +25 V
    Longitud3.4mm
    Ancho3.4mm
    Número de Elementos por Chip1
    Carga Típica de Puerta @ Vgs43,2 nC a 10 V
    Material del transistorSi
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Altura1.1mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C

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