MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 39.6 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

840,00 €

(exc. IVA)

1.015,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 5000 unidad(es) más para enviar a partir del 12 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
5000 +0,168 €840,00 €

*precio indicativo

Código RS:
214-8989
Nº ref. fabric.:
BSZ180P03NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

39.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS P3

Encapsulado

TSDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Longitud

5.49mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.35 mm

Estándar de automoción

No

La gama Infineon de MOSFET de potencia de canal P único OptiMOS está diseñada para proporcionar características mejoradas que cumplen rendimiento de calidad. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Las aplicaciones incluyen dc-dc, control de motor, gestión de batería y conmutación de carga.

Tiene una temperatura de funcionamiento de 150 °C.

Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino

Enlaces relacionados