MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

Código RS:: 165-6879
Nº ref. fabric.:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

1.495,00 €

(exc. IVA)

1.810,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Agotado temporalmente

Envío desde el 19 de febrero de 2027

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
5000 +	0,299 €	1.495,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-6879
Nº ref. fabric.:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	OptiMOS P
	Encapsulado	TSDSON
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	13.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	69W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	43.2nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-25, +25V
	Tensión directa Vf	-1.1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	3.4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.4mm
	Altura	1.1mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie OptiMOS P
	Encapsulado TSDSON
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 69W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43.2nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -25, +25V
	Tensión directa Vf -1.1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 3.4mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.4mm
	Altura 1.1mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de la serie OptiMOS P de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 40 A - BSZ086P03NS3EGATMA1

Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal P diseñado para conmutación de alta corriente en conjuntos compactos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos electrónicos exigentes y está fabricado para soportar importantes corrientes de drenaje y disipación de potencia. El encapsulado es un TSDSON de 8 contactos de perfil bajo para un montaje en PCB eficiente y un rendimiento térmico.

Características y ventajas:

• La baja resistencia de encendido reduce las pérdidas por conducción durante corrientes elevadas
• La corriente de drenaje continua de 40 A admite conmutación de carga pesada
• La disipación de potencia máxima de 69 W permite un manejo de potencia superior
• La carga de puerta típica de 43.2 nC equilibra la velocidad de conmutación y el esfuerzo de accionamiento
• La tolerancia de puerta de 25 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• Valor nominal de fuente de drenaje de 30 V adecuado para diseños de sistemas de tensión moderada

Aplicaciones

• Adecuado para módulos de conversión de potencia de punto de carga
• Ideal para interruptores convertidores reductores síncronos
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías en sistemas de alimentación
• Se puede utilizar para el control de conductor de motor de lado bajo/carretera de potencia
• Adecuado para carriles de alimentación de servidor y telecomunicaciones

¿Qué extremos térmicos puede soportar durante el funcionamiento?

Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, adaptándose a amplias variaciones ambientales y de unión.

¿Cuántos contactos y qué método de montaje utiliza?

El dispositivo utiliza un tamaño de 8 pines y está diseñado para montaje en superficie en un encapsulado TSDSON.

¿Qué características eléctricas limitan las pérdidas por conducción?

La resistencia máxima de drenaje de fuente del dispositivo es de 13,4 mΩ, lo que rige la caída de tensión en estado activo y la eficiencia.

¿Qué consideraciones de control de puerta son relevantes para el diseño de conmutación?

Con una carga de puerta típica de 43,2 nC y una tensión nominal máxima de fuente de puerta de 25 V, los circuitos de accionamiento deben suministrar una carga suficiente manteniéndose dentro de los límites de tensión.