MOSFET, Tipo P, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 5.1 A, Doble, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
258-0720
Nº ref. fabric.:
BSZ215CHXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

BSZ

Encapsulado

TSDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

Doble

Tensión directa Vf

0.7V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia complementarios de Infineon (un MOSFET de potencia de canal n y un MOSFET de potencia de canal p en el mismo encapsulado) forman parte de las famosas familias OptiMOS de baja tensión, el líder del mercado en soluciones de alta eficiencia para generación de potencia, fuente de alimentación y consumo de potencia.

Canal P + N complementario

Modo de mejora

Valor nominal de avalancha

Calificación conforme a AEC Q101

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