MOSFET, Tipo P, Tipo N-Canal Infineon BSZ215CHXTMA1, VDSS 20 V, ID 5.1 A, Doble, TSDSON de 8 pines

Código RS:: 258-0721
Nº ref. fabric.:: BSZ215CHXTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P, Tipo N-Canal Infineon BSZ215CHXTMA1, VDSS 20 V, ID 5.1 A, Doble, TSDSON de 8 pines

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Código RS:: 258-0721
Nº ref. fabric.:: BSZ215CHXTMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	BSZ
	Encapsulado	TSDSON
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	150mΩ
	Modo de canal	Doble
	Tensión directa Vf	700mV
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	+175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie BSZ
	Encapsulado TSDSON
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ
	Modo de canal Doble
	Tensión directa Vf 700mV
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima +175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - BSZ215CHXTMA1

MOSFET de la serie BSZ de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 5,1 A - BSZ215CHXTMA1

Este MOSFET de canal doble combina elementos de canal P y N en un encapsulado compacto de montaje en superficie para tareas de gestión y conmutación de potencia. Diseñado para montaje en placa, funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para aplicaciones en las que se requieren ambos canales de polaridad en un solo dispositivo, al tiempo que cumple las directivas RoHS.

Características y ventajas:

• La baja resistencia de drenaje-fuente reduce las pérdidas por conducción
• La disposición de dos canales permite funciones de conmutación complementarias
• El montaje en superficie de 8 contactos TSDSON facilita la colocación de PCB de alta densidad
• La tensión directa de 0,7 V minimiza el accionamiento de puerta por encima de la cabeza
• La amplia tolerancia a la temperatura admite entornos térmicos exigentes

Aplicaciones

• Apto para módulos de distribución de potencia de DC en sistemas compactos
• Ideal para disposiciones de medio puente complementarias en placas individuales
• Se utiliza para controlador de puerta y conmutación de carga en electrónica de control
• Puede utilizarse para diseños térmicamente estables que funcionan en condiciones extremas

¿Cuál es el rango máximo de temperatura ambiente que puede soportar?

Está especificado para funcionar a una temperatura máxima de +175 °C.

¿Cómo admite el dispositivo la conmutación de baja pérdida?

El dispositivo dispone de una resistencia máxima de drenaje a fuente de 150 mΩ que reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento de alta corriente.

¿Qué número de contactos y estilo de montaje deben esperar los diseñadores?

El componente se suministra en un encapsulado TSDSON de 8 contactos configurado para montaje en superficie.

¿Están disponibles ambas polaridades de canal en el mismo encapsulado?

Sí, el componente integra MOSFET de canal P y canal N para diseños de circuitos complementarios.

¿Es el dispositivo adecuado para los requisitos de especificación de automoción?

No está designado como pieza estándar de automoción, pero cumple con las restricciones ambientales de la directiva RoHS.