MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ037N06LS5ATMA1, VDSS 60 V, ID 104 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0712
- Nº ref. fabric.:
- BSZ037N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,15 € | 4,30 € |
| 20 - 48 | 1,735 € | 3,47 € |
| 50 - 98 | 1,625 € | 3,25 € |
| 100 - 198 | 1,53 € | 3,06 € |
| 200 + | 1,42 € | 2,84 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-0712
- Nº ref. fabric.:
- BSZ037N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 104A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | BSZ | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 104A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie BSZ | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 60 V consta de un ajuste perfecto para soluciones de densidad de potencia y eficiencia optimizadas, como rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado, para aplicaciones de servidor y telecomunicaciones, así como cargadores portátiles. El tamaño pequeño de solo 3,3 x 3,3 mm2 combinado con un rendimiento eléctrico excepcional contribuye aún más a mejorar la densidad de potencia y el factor de forma en la aplicación final.
Diodo similar a Schottky integrado monolíticamente
Cargas muy bajas
Ideal para aplicaciones de alto rendimiento
Conformidad con RoHS - sin halógenos
Menos paralelismo necesario
Sobrecarga de tensión muy baja
Necesidad reducida de circuito de atenuación