MOSFET Infineon IPB073N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 114 A, TO 263 de 3 pines

Código RS:: 218-3030
Nº ref. fabric.:: IPB073N15N5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB073N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 114 A, TO 263 de 3 pines

2730 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

2,494 €

(exc. IVA)

3,018 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	2,494 €	2.494,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 218-3030
Nº ref. fabric.:: IPB073N15N5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPB073N15N5ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET Infineon OptiMOS™5 de potencia de canal N. Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 150V de Infineon son especialmente adecuados para controladores de baja tensión como carretillas elevadoras y scooters electrónicos, así como aplicaciones de telecomunicaciones y solares.

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de resistencia de conexión muy baja
Carga de recuperación inversa muy baja (Qrr)
Temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Chapado de cable sin plomo

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	114 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado	TO 263
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0.0073 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima	4.6V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPB073N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 114 A, TO 263 de 3 pines

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