MOSFET Infineon IPB073N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 114 A, TO 263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3031
- Nº ref. fabric.:
- IPB073N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
2730 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
3,816 €
(exc. IVA)
4,617 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,816 € | 19,08 € |
| 10 - 20 | 3,436 € | 17,18 € |
| 25 - 45 | 3,206 € | 16,03 € |
| 50 - 120 | 2,976 € | 14,88 € |
| 125 + | 2,746 € | 13,73 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-3031
- Nº ref. fabric.:
- IPB073N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET Infineon OptiMOS™5 de potencia de canal N. Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 150V de Infineon son especialmente adecuados para controladores de baja tensión como carretillas elevadoras y scooters electrónicos, así como aplicaciones de telecomunicaciones y solares.
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de resistencia de conexión muy baja
Carga de recuperación inversa muy baja (Qrr)
Temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Chapado de cable sin plomo
RDS(on) de resistencia de conexión muy baja
Carga de recuperación inversa muy baja (Qrr)
Temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Chapado de cable sin plomo
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 114 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Tipo de Encapsulado | TO 263 |
| Serie | OptiMOS™ 5 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.0073 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.6V |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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