MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50N06S4L12ATMA2, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3045
Nº ref. fabric.:
IPD50N06S4L12ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T2. Tiene el tipo de paquete DPAK (TO-252).

Canal N - Modo de mejora

Prueba de avalancha al 100 %

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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