MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R1K4CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 4.8 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3047
Nº ref. fabric.:
IPD50R1K4CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-252

Serie

500V CoolMOS CE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.2nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

25W

Tensión directa Vf

0.83V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Altura

2.41mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 500V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Esta serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

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