MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 4.3 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3846
- Nº ref. fabric.:
- IPD50R950CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3846
- Nº ref. fabric.:
- IPD50R950CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 950mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La CoolMOS CE de 500 V de Infineon es una plataforma optimizada de rendimiento y precio que permite apuntar a aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al tiempo que cumple los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento de bajo coste disponible en el mercado.
Alta resistencia del diodo del cuerpo
Carga de recuperación inversa reducida
Control sencillo del comportamiento de conmutación