MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 6 A, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3115
Nº ref. fabric.:
IRFR825TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Disipación de potencia máxima Pd

119W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

9.65mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en SAI, SMPS, etc.

La menor carga de la compuerta tiene como resultado unos requisitos de accionamiento más sencillos.

El umbral de tensión de puerta superior ofrece mayor inmunidad al ruido.

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