MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 6 A, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3115
Nº ref. fabric.:
IRFR825TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

119W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Altura

9.65mm

Anchura

4.83 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en SAI, SMPS, etc.

La menor carga de la compuerta tiene como resultado unos requisitos de accionamiento más sencillos.

El umbral de tensión de puerta superior ofrece mayor inmunidad al ruido.

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