MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 6 A, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3115
Nº ref. fabric.:
IRFR825TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

119W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.65mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en SAI, SMPS, etc.

La menor carga de la compuerta tiene como resultado unos requisitos de accionamiento más sencillos.

El umbral de tensión de puerta superior ofrece mayor inmunidad al ruido.

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